2022-2023学年邯郸市高二年级第二学期期末考试(23-527B)z物理考试试卷

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2022-2023学年邯郸市高二年级第二学期期末考试(23-527B)z物理试卷答案

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12.在半导体芯片制造过程中,通过注入离子改变材料的导电性能,它是芯片制造中一道重要的工序。为了精准注入离子,需要在有限的特定空间内加以电磁场,对离子的运动进行调控。如图为其中一个模型,一边长为0.64m的正方形abed内存在一垂直纸面的匀强磁场,在正方形的正中心有一离子发射源,可向纸面内任何方向发射初速度为810^4m/s,,比荷为110^8C/kg的正离子,改变磁场的大小和方向,可使离子到达相应的位置。关于离子在磁场中的运动说法正确的是()A.为使这些正离子都不能穿出该磁场,则该磁场的磁感应强度B510^-3TB.为使这些正离子都不能穿出该磁场,则该磁场的磁感应强度B310^-3TC.若磁感应强度为2.510^-3T,,离子在磁场运动的最短时间为4310^-6sD.若磁感应强度垂直纸面向里且大小为410^-3T,bc边有离子射出的宽度为0.24m

2022-2023学年邯郸市高二年级第二学期期末考试(23-527B)z物理第一部分

如图甲所示,某直线加速器由金属圆板和4个金属圆简依次排列组成,圆筒左右底面中心中心开有小孔,其中心轴线在同一水平线上,圆板及相邻金属圆简分别接在周期性交变电源的两极。粒子自金属圆板中心无初速度释放,在间隙中被电场加速(穿过间隙的时间忽略不计),在圆筒内做匀速直线运动。粒子在每个金属圆筒内运动时间恰好等于交变电压周期的一半,这样粒子就能在间隙处一直被加速。电荷量为质量为m的质子1H通过此加速器加速,交变电压如图乙所示(U0、T0未知),粒子飞出4号圆筒即关闭交变电源。加速后的质子从P点沿半径PO射入圆形匀强磁场区域,经过磁场偏转后从0点射出,POQ=120^。。已知匀强磁场区域半径为R,磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里,不计一切阻力,忽略磁场的边缘效应,求:(1)质子在圆形磁场中运动的时间;(2)直线加速器所加交变电场的电压U0;(3)若交变电压周期不变,粒子换成氚核1^3H,为使氚核在每个金属圆筒内运动时交变电压周期的一半,需将交变电压调为U0的多少倍?t

2022-2023学年邯郸市高二年级第二学期期末考试(23-527B)z物理第二部分（待更新）

15.如图所示,在水平桌面上,有质量相同、底面积相同、形状不同的三个容器甲、乙、丙内分别装有质量相同的水,三个容器中,水对容器底部的压力F,F1,F2大小关系是,三个容器对桌面的压强P甲,P、Pa大小关系是。