2024届广东省高州市高考适应性考试(24509C)物理

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2024届广东省高州市高考适应性考试(24509C)物理试卷答案

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通过在半导体材料中进行不同的掺杂,可以形成P型半导体和N型半导体,将两种半导体组合在一起即形成下图所示的PN结,这是半导体元器件中的基本构造。由于电子的扩散作用,N型区中的电子会进入P型区内,从而使N型区一侧带正电,P型区一侧带负电,稳定后两块半导体之间产生内建电场,形成所谓耗尽层(图中阴影部分)。关于耗尽层,下列说法正确的是耗尽层26.15+5&5x=0x=55tA.耗尽层中,内建电场的方向是P型区指向N型区1-21202B.耗尽层中,N型区电势低于P型区26+t-26+t-²t-5.5=4C.若电子由N型区进入P型区,则电势能增大D.若质子由N型区进人P型区,则电势能增大526当下落速

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